رزومه علمی

صادق محسن زاده

استادیار

سال: ۱۴۰۱

محل برگزاری: آمريكا / USA

A Gate Driving Strategy for the Series-Connected IGBTs to Improve the Resilience Against IGBTs Short-Circuit Failures

نویسندگان: صادق محسن زاده هدش
عنوان مجله: IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRIAL ELECTRONICS
از صفحه: ۹۹۶۱
تا صفحه: ۹۹۷۱

سال: ۱۴۰۱

محل برگزاری: آمريكا / USA

Gate Oxide Degradation Condition Monitoring Technique for High-Frequency Applications of Silicon Carbide Power MOSFETs

نویسندگان: جواد نقيبي, صادق محسن زاده هدش, كاميار مهران, Martin P. Foster
عنوان مجله: IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
از صفحه: ۱۰۷۹
تا صفحه: ۱۰۹۱

سال: ۱۴۰۰

محل برگزاری: آمريكا / USA

A Voltage Balancing Method for Series-Connected IGBTs Operating as A Fault Current Limiter in High Voltage DC Power Supplies

نویسندگان: صادق محسن زاده هدش, M. Zarghani, S. Kaboli
عنوان مجله: IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRIAL ELECTRONICS
از صفحه: ۱
تا صفحه: ۵

سال: ۱۴۰۰

محل برگزاری: سوئيس / Switzerland

Reliability Enhancement of Power IGBTs under Short-Circuit Fault Condition Using Short-Circuit Current Limiting-Based Technique

نویسندگان: صادق محسن زاده هدش, سيد جواد نقيبي نسب, كاميار مهران
عنوان مجله: Energies
از صفحه: ۱
تا صفحه: ۱۸

سال: ۱۴۰۰

محل برگزاری: آمريكا / USA

A High-Voltage Series-Stacked IGBT Switch With Output Pulse Shaping Capability to Reduce EMI Generation

نویسندگان: صادق محسن زاده هدش
عنوان مجله: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTROMAGNETIC COMPATIBILITY
از صفحه: ۱
تا صفحه: ۱۰

تماس با ما

آدرس: تهران، میرداماد غربی، پلاک ۴۷۰
تلفن تماس: ۰۲۱-۸۸۸۸۲۹۹۱
نمابر:
پست الکترونیک:

حفظ مالکیت معنوی

کلیه حقوق این وب سایت و مطالب آن متعلق به دانشگاه خواجه نصیر الدین طوسی بوده و هر گونه استفاده از مطالب آن با ذکر منبع بلامانع است.